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半导体器件盐雾试验
时间:2024-06-02 12:38:50 来源: 作者:
半导体器件盐雾试验
半导体器件盐雾试验
试验背景
半导体器件盐雾试验目的是通过模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验,确定半导体器件耐腐蚀的能力,适用于工作在海上和沿海地区的器件,属于破坏性试验。
七二检测
检测环境
检测VBA
拥有各种半导体器件机械和气候试验设备,具备盐雾试验能力,为半导体器件、设备提供专业的盐雾试验服务。
半导体器件盐雾试验
试验方式
预处理之后,试验样品应按规定方式放置在试验箱里,使它们彼此不接触,彼此不遮挡,能自由地接受盐雾作用,腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品滴落在另一个样品上。 试验箱中喷雾的保持时间应按试验条件的要求执行。
试验期间,试验箱内的温度应保持在(35±2)C,盐雾的浓度和喷出速度应调节到使试验区城内盐沉降率为(30±10)g/(m
2
·d)。
在不低于35 ℃测量时,盐溶液的pH值应在6.0~7.5之间[只能用化学纯(CP级)的盐酸或氢氧化钠(稀溶液)来调整pH值]。
半导体器件盐雾试验
试验标准
GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分:总则
GB/T 4937.13-2018 半导体器件机械和气候试验方法 第13部分:盐雾
IEC 60749-13:2002半导体器件机械和气候试验方法 第 13部分:盐雾
IEC 60068-2-11环境试验第2 部分:试验方法试验 Ka:盐雾
GB/T 2423.17- 2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ka:盐雾
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